Endring av elektrisk motstand produsert i en gjeldende bærende dirigent eller semiconductor på anvendelsen av en magnetfelt H. Magnetoresistance er en av galvanomagnetic effekter. Det er observert med h både parallelt og tverrstilt til gjeldende flyt. Endring av motstand vanligvis er proporsjonal ² H for små felt, men på høy felt kan det stiger raskere enn H ², øker lineært med h eller pleier å en konstant (det vil si Mette), avhengig av materialet. i nonmagnetic mest heldekkende objekter i magnetoresistance er positivt.